江苏中科汉韵半导体有限公司李凯获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏中科汉韵半导体有限公司申请的专利芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011450019.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权芯片及其制备方法是由李凯;袁述设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1、将碳化硅棒切割为多个碳化硅衬底片，每个所述碳化硅衬底片的厚度小于第一设定值；S2、在所述碳化硅衬底片的至少一侧设置辅助层，得到复合片，所述复合片的总厚度大于第二设定值，所述第二设定值大于所述第一设定值；S3、对所述复合片进行加工，得到芯片；S4、去除所述芯片上的所述辅助层。本发明实施例的芯片的制备方法，通过将碳化硅晶锭切割成多个薄衬底片，并在每个薄衬底片上设置辅助层，得到复合片，防止薄衬底片在加工过程破碎，最后再将复合片加工得到碳化硅芯片后，去除辅助层，得到厚度较薄的碳化硅芯片，有效降低芯片制造的成本。
本发明授权芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将碳化硅棒切割为多个碳化硅衬底片，每个所述碳化硅衬底片的厚度小于第一设定值； S2、在所述碳化硅衬底片的至少一侧设置辅助层，得到复合片，所述复合片的总厚度大于第二设定值，所述第二设定值大于所述第一设定值； S3、对所述复合片进行加工，得到芯片； S4、去除所述芯片上的所述辅助层； 步骤S2包括： S21’、将辅料混合后，在所述碳化硅衬底片的碳面进行流延成型； S22’、对所述碳化硅衬底片进行烧结，在所述碳化硅衬底片的碳面形成所述辅助层，得到所述复合片； S23’、对所述复合片进行研磨以调整其厚度、平整度和粗糙度； 将辅料混合，包括：碳化硅粉末或氧化铝粉末为骨料，加黏土和质量分数为3％-8％的聚乙烯醇进行混合。
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