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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利晶片级堆叠裸片结构以及相关联系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011484194.9，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权晶片级堆叠裸片结构以及相关联系统和方法是由张吉远设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片级堆叠裸片结构以及相关联系统和方法在说明书摘要公布了：本申请涉及晶片级堆叠裸片结构以及相关联系统和方法。一种用于半导体装置的堆叠裸片结构大体上包含具有形成于晶片中的第一裸片的初级以及具有耦合到所述第一裸片的第二裸片的第二级。第三级包含耦合到所述第二裸片的第三裸片。所述级分别具有从所述裸片的作用侧延伸的导电第一、第二和第三互连件，且可在堆叠所述裸片之前接合。所述裸片可相对于彼此堆叠在偏移或旋转位置中，使得所述互连件延伸超过其它裸片中的每一者以接触重布层，所述重布层形成与外部部件的电连接。在一些配置中，具有第四裸片和导电第四互连件的第四级耦合到所述第三裸片且定位成从所述第三裸片横向偏移，使得所述第三互连件延伸超过所述第四裸片。

本发明授权晶片级堆叠裸片结构以及相关联系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 初级，其具有包含背侧和与所述背侧相对的作用侧的第一裸片，和从所述作用侧延伸的导电第一互连件； 第二级，其具有包含背侧和与所述背侧相对的作用侧的第二裸片，和在所述第一互连件的方向上从所述第二裸片的所述作用侧延伸的导电第二互连件，且所述第二裸片的所述背侧安装到所述第一裸片的所述作用侧，其中所述第二裸片在横向方向上沿着所述第一裸片的所述作用侧从所述第一裸片偏移，使得所述第一互连件延伸超过安装的所述第二裸片的所述作用侧，其中所述第二裸片相对于所述第一裸片旋转约180°，且其中所述第一互连件定位在所述半导体装置的第一边缘附近，且所述第二互连件定位在所述半导体装置的与所述第一边缘相对的第二边缘附近；以及 第三级，其具有包含背侧和与所述背侧相对的作用侧的第三裸片，和在所述第一互连件和所述第二互连件的方向上从所述第三裸片的所述作用侧延伸的导电第三互连件，其中所述第三裸片相对于所述第二裸片旋转约90°，且所述第三裸片的所述背侧安装到所述第一互连件和所述第二互连件之间的所述第二裸片的所述作用侧，其中所述第三互连件定位在所述半导体装置的所述第一边缘与所述第二边缘之间的第三边缘附近，其中所述第三裸片的宽度小于所述第一裸片的宽度和所述第二裸片的宽度以使得所述第一互连件和所述第二互连件延伸超过安装的所述第三裸片的所述作用侧。

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