中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司桂珞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利目标结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114690548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011642033.8，技术领域涉及：G03F1/80；该发明授权目标结构的形成方法是由桂珞;韩凤芹设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本目标结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种目标结构的形成方法，包括：提供用于形成目标结构的待刻蚀基底层，待刻蚀基底层包括多个区域，目标结构的顶面在多个区域上构成曲面轮廓，且待刻蚀基底层能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；在待刻蚀基底层上形成凸立于待刻蚀基底层上的多个刻蚀阻挡结构，且位于多个区域的刻蚀阻挡结构具有不同的图形密度；刻蚀所述刻蚀阻挡结构露出的部分厚度的待刻蚀基底层，形成凸立于剩余待刻蚀基底层上的凸起部；去除凸起部，形成目标结构，目标结构顶面具有曲面轮廓。本发明通过在待刻蚀基底层的不同区域上形成图形密度不同的刻蚀阻挡结构，从而控制对各个区域的刻蚀深度，进而使目标结构顶面具有曲面轮廓，且获得顶面轮廓可控的目标结构。
本发明授权目标结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种目标结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供用于形成目标结构的待刻蚀基底层，所述待刻蚀基底层包括多个区域，所述目标结构的顶面在所述多个区域上构成曲面轮廓，且所述待刻蚀基底层能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化； 在所述待刻蚀基底层上形成凸立于所述待刻蚀基底层上的多个刻蚀阻挡结构，位于所述多个区域的所述刻蚀阻挡结构具有不同的图形密度，且所述多个区域中的图形密度与相对应区域中的刻蚀阻挡结构的线宽呈负相关； 以所述刻蚀阻挡结构为掩膜，刻蚀所述刻蚀阻挡结构露出的部分厚度的所述待刻蚀基底层，形成凸立于剩余的所述待刻蚀基底层上的凸起部； 去除所述凸起部，形成目标结构，所述目标结构的顶面具有曲面轮廓。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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