中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司权炳仁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利用于形成半导体图案结构的方法及半导体器件的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114967375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110212715.3，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权用于形成半导体图案结构的方法及半导体器件的加工方法是由权炳仁;丁明正;刘强;贺晓彬;王桂磊;白国斌设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成半导体图案结构的方法及半导体器件的加工方法在说明书摘要公布了：本公开提供了用于形成半导体图案结构的方法及半导体器件的加工方法，用于形成半导体图案结构的方法包括如下步骤。执行对准操作，以将具有第一预设图案的掩膜版与底部对准层对准，并获取对准参数。利用读取的偏移参数补正对准参数，以使掩膜版的对准位置发生偏移。控制光刻设备对光刻胶层进行光刻处理，以基于掩膜版图案化光刻胶层。最后以具有第一预设图案的光刻胶层作为掩模，然后控制刻蚀设备对介质层进行刻蚀，以在介质层上形成与底部对准层对准的半导体图案结构。本公开能够在光刻工艺中通过光刻掩膜版套刻补偿的方式修正在后刻蚀工艺中发生的半导体图案结构位置偏移问题，可明显提高半导体器件的良率。
本发明授权用于形成半导体图案结构的方法及半导体器件的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体图案结构的方法，其特征在于，包括： 控制光刻设备执行对准操作，以将具有第一预设图案的掩膜版与底部对准层对准，并获取对准参数； 读取事先生成的偏移参数； 利用所述偏移参数补正所述对准参数后控制所述光刻设备进行移动操作，以使掩膜版的对准位置发生偏移； 控制所述光刻设备对光刻胶层进行光刻处理，以基于所述掩膜版图案化所述光刻胶层； 以具有第一预设图案的所述光刻胶层作为掩模，控制刻蚀设备对介质层进行刻蚀，以在介质层上形成与底部对准层对准的半导体图案结构； 通过如下方式生成所述偏移参数： 设置光刻对准条件，并在对准后控制光刻设备进行光刻处理，以在第一预处理膜层上形成第二预设图案； 以具有第二预设图案的所述第一预处理膜层作为掩模，控制刻蚀设备对第二预处理膜层进行刻蚀，以在所述第二预处理膜层上刻蚀出第二预设图案结构； 将所述第二预处理膜层上的第二预设图案结构位置与预设位置进行比较以及根据比较结果生成所述偏移参数。
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