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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种低功耗芯片的过温保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112859998B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110238498.5，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低功耗芯片的过温保护电路是由黄祥林;鲁征浩设计研发完成，并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗芯片的过温保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种低功耗芯片的过温保护电路，包括：第一电流镜、第二电流镜、PMOS管PM3、NMOS管NM1、NM2、NM3、NM4、三极管Q1、Q2、运算放大器AMP、反相器INV1和INV2，运算放大器AMP作为比较器使用，运算放大器AMP的同相端与NMOS管NM1的栅极连接、反相端接在了与温度无关的基准电压Vref上、输出端与反相器INV1连接，反相器INV1与反相器INV2串联，反相器INV1的输出信号OVT_N输入到NMOS管NM3的栅极，反相器INV2的输出信号OVT_P输入到PMOS管PM3的栅极和NMOS管NM4的栅极，通过运算放大器AMP同相端的电压VNTAT与反相端的电压Vref，从而控制输出信号OVT_N、OVT_P为高电平或低电平，从而改变PMOS管PM3、NMOS管NM3和NMOS管NM4的通断状态，使得温度未超过过温点时芯片正常工作、温度超过过温点时芯片受保护被关闭。

本发明授权一种低功耗芯片的过温保护电路在权利要求书中公布了：1.一种低功耗芯片的过温保护电路，其特征在于，包括：第一电流镜、第二电流镜、PMOS管PM3、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、三极管Q1、三极管Q2、运算放大器AMP、反相器INV1和反相器INV2，PMOS管PM1与PMOS管PM4组成共源共栅结构的第一电流镜，PMOS管PM2与PMOS管PM5组成共源共栅结构的第二电流镜，所述第一电流镜通过PMOS管PM1的源极与电源连接，所述第一电流镜通过PMOS管PM4的源极与PMOS管PM3的漏极连接，PMOS管PM3的源极连接电源，所述第二电流镜通过PMOS管PM2的漏极连接到NMOS管NM1的漏极，所述第二电流镜通过PMOS管PM5的源极与所述PMOS管PM4的漏极连接，所述第二电流镜通过PMOS管PM5的漏极连接到NMOS管NM1的漏极，所述NMOS管NM1、NMOS管NM2与NMOS管NM3串联；NMOS管NM3的源极接地；三极管Q1、三极管Q2与NMOS管NM4串联，三极管Q1的发射极与NMOS管NM1的源极连接，NMOS管NM4的源极接地；运算放大器AMP作为比较器使用，运算放大器AMP的同相端与NMOS管NM1的栅极连接，电压为VNTAT，运算放大器AMP的反相端接在了与温度无关的基准电压Vref上，运算放大器AMP的输出端与反相器INV1连接，反相器INV1与反相器INV2串联，反相器INV1的输出信号OVT_N输入到NMOS管NM3的栅极，反相器INV2的输出信号OVT_P输入到PMOS管PM3的栅极和NMOS管NM4的栅极，通过运算放大器AMP同相端的电压VNTAT与反相端的电压Vref，从而控制输出信号OVT_N、OVT_P为高电平或低电平，从而改变PMOS管PM3、NMOS管NM3和NMOS管NM4的通断状态，使得温度未超过过温点时芯片正常工作、温度超过过温点时芯片受保护被关闭。

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