台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置与其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110285717.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置与其形成方法是由林士尧;邱志忠;高魁佑;陈振平;林志翰设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置与其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置与其形成方法。半导体装置的形成方法包括形成鳍状物于装置区中，并形成半导体材料的多层堆叠中的其他鳍状物于多通道装置区中。自多层堆叠顶部移除牺牲层，以露出多通道装置区中的最顶部的纳米结构。一旦移除牺牲层，即可自多层堆叠形成纳米结构的堆叠。形成第一厚度的原生氧化物于最顶部的纳米结构上，并形成第二厚度的原生氧化物层于堆叠的保留的纳米结构上，且第一厚度大于第二厚度。栅极介电层形成于装置区中的鳍状物上。栅极形成于装置区中的栅极介电层上，并围绕多通道装置区中的原生氧化物。
本发明授权半导体装置与其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 形成一半导体鳍状物于一基板上； 形成一多通道鳍状物于该基板上，且该多通道鳍状物包括一牺牲材料； 自该多通道鳍状物移除该牺牲材料，而不自该半导体鳍状物移除材料； 在移除该牺牲材料之后，自该多通道鳍状物形成多个纳米结构的一堆叠； 形成一栅极于多个所述纳米结构的该堆叠与该半导体鳍状物上； 形成一第一厚度的一第一介电层以围绕多个所述纳米结构的该堆叠的一第一纳米结构；以及 形成一第二厚度的该第一介电层以围绕多个所述纳米结构的该堆叠的一第二纳米结构，且该第二纳米结构为多个所述纳米结构的该堆叠的一最顶部的纳米结构，而该第二厚度大于该第一厚度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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