华邦电子股份有限公司许博砚获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110332090.4，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由许博砚;吴伯伦;郭泽绵设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含：基板、第一电极、空位供应层、侧壁阻障层、氧储存层、阻值转换层以及第二电极；第一电极设置于基板上；空位供应层设置于第一电极上；侧壁阻障层设置于第一电极上；氧储存层设置于第一电极上，且侧壁阻障层设置于氧储存层与空位供应层之间；阻值转换层设置于空位供应层上；第二电极设置于阻值转换层上。使得半导体结构中同时具有氧离子导通路径与空位导通路径，来获得更优良的电性特征。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含： 一基板； 一第一电极，设置于该基板上； 一空位供应层，设置于该第一电极上； 一侧壁阻障层，设置于该第一电极上； 一氧储存层，设置于该第一电极上，且该侧壁阻障层设置于该氧储存层与该空位供应层之间； 一阻值转换层，设置于该空位供应层上；以及 一第二电极，设置于该阻值转换层上， 其中，该阻值转换层覆盖该空位供应层及该氧储存层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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