中国科学院上海微系统与信息技术研究所谭智勇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113078221B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110473933.2,技术领域涉及:H10F77/00;该发明授权太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法是由谭智勇;李弘义;王长;曹俊诚设计研发完成,并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法,所述芯片级封装结构包括:封装下壳体、具有贯通开口的PCB线路板、太赫兹量子阱探测器、跨阻放大器、供电接头及输出接头,所述PCB线路板设于所述封装下壳体内,所述太赫兹量子阱探测器通过所述贯通开口设于所述封装下壳体内,所述跨阻放大器设于所述PCB线路板上,所述供电接头及所述输出接头的一端均设于所述PCB线路板上,且另一端均设于所述封装下壳体外。通过本发明提供的太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法,解决了现有太赫兹低温放大电路存在的诸多问题。
本发明授权太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了:1.一种太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构,其特征在于,所述芯片级封装结构的工作温度大于等于4K且小于等于10K,包括:封装下壳体、具有贯通开口的PCB线路板、太赫兹量子阱探测器、跨阻放大器、供电接头及输出接头, 所述PCB线路板采用铟焊接方式设于所述封装下壳体内,所述太赫兹量子阱探测器通过所述贯通开口采用铟焊接方式设于所述封装下壳体内,所述跨阻放大器采用铟焊接方式设于所述PCB线路板上,所述供电接头及所述输出接头的一端均设于所述PCB线路板上,且另一端均设于所述封装下壳体外; 其中,所述供电接头用于外接供电设备为所述太赫兹量子阱探测器及所述跨阻放大器供电,所述太赫兹量子阱探测器用于收集太赫兹光信号并将收集的太赫兹光信号转换为电流信号输出,所述跨阻放大器用于对接收的所述电流信号进行放大并转换为电压信号输出,所述输出接头用于将所述电压信号输出至所述芯片级封装结构外。
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