长鑫存储技术有限公司翁坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利建模方法、装置、计算机设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115374734B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110554254.8，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权建模方法、装置、计算机设备及存储介质是由翁坤设计研发完成，并于2021-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本建模方法、装置、计算机设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及一种建模方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括：获取硅通孔结构中各子结构的电参数；根据两个裸片之间各所述硅通孔结构的连接关系得到电拓扑网络模型；根据所述电拓扑网络模型和所述电参数得到仿真模型，以进行仿真。上述建模方法、装置、计算机设备及存储介质能够对包含硅通孔结构的三维集成电路进行仿真，从而知晓硅通孔结构对整个三维集成电路的影响。
本发明授权建模方法、装置、计算机设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种建模方法，其特征在于， 包括： 获取硅通孔结构中各子结构的电参数； 根据两个裸片之间各所述硅通孔结构的连接关系得到电拓扑网络模型； 根据所述电拓扑网络模型和所述电参数得到仿真模型，以进行仿真； 所述两个裸片分别为第一裸片和第二裸片，各所述子结构包括凸起焊盘子结构及硅通孔子结构，所述凸起焊盘子结构的一端与所述第二裸片电连接，所述凸起焊盘子结构的另一端与所述硅通孔子结构的一端电连接，所述第一裸片上开设有通孔供所述硅通孔子结构穿过以将所述硅通孔子结构的另一端与所述第一裸片电连接，所述电参数包括所述凸起焊盘子结构的电参数和所述硅通孔子结构的电参数； 所述获取硅通孔结构中各子结构的电参数，包括： 获取所述硅通孔结构的结构示意图； 根据所述硅通孔结构的结构示意图得到所述硅通孔结构中各所述子结构的材料组成剖面图；所述子结构的材料组成剖面图包括所述子结构的材料信息及尺寸信息； 根据每个所述子结构的材料信息及尺寸信息得到所述电参数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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