上海瀚薪芯座科技发展有限责任公司李隆盛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海瀚薪芯座科技发展有限责任公司申请的专利一种碳化硅半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110580457.4，技术领域涉及：H10D62/83；该发明授权一种碳化硅半导体装置及其制造方法是由李隆盛;洪建中;李传英设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种碳化硅半导体装置及其制造方法，该碳化硅半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在一碳化硅基板上提供一半导体元件结构，该半导体元件结构形成于该碳化硅基板的一正面上；在该碳化硅基板的一背面上形成一多层结构，该多层结构包括多个欧姆接触层以及多个捕捉材料层。通过将该捕捉材料分散为多层，且通过调整该欧姆接触层及该捕捉材料层的厚度组合，让该捕捉材料层即使较薄足以球状化的厚度，但仍有充分的含量能捕捉碳，降低碳的聚集堆积。
本发明授权一种碳化硅半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于包括以下步骤：在一碳化硅基板上提供一半导体元件结构，该半导体元件结构形成于该碳化硅基板的一正面上；以及在该碳化硅基板的一背面上形成一多层结构，该多层结构包括一形成于该背面的第一欧姆接触层、一形成于该第一欧姆接触层上的第一捕捉材料层、一形成于该第一捕捉材料层上的第二欧姆接触层、一形成于该第二欧姆接触层上的第二捕捉材料层以及一形成于该第二捕捉材料层上的第三欧姆接触层，该第一欧姆接触层、该第二欧姆接触层及该第三欧姆接触层的材料为镍、镍硅双层、硅化镍或它们的组合，该第一捕捉材料层及该第二捕捉材料层的材料为钛、钼、钨、钽或它们的组合，该多层结构的总厚度介于105nm与405nm之间，该第一欧姆接触层、该第二欧姆接触层及该第三欧姆接触层中任一者的厚度大于该第一捕捉材料层及该第二捕捉材料层中任一者的厚度。
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