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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利化合物、红外吸收剂、红外吸收/阻挡膜、光电器件、传感器、电子设备和图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113861177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110736836.8，技术领域涉及：C07D409/14；该发明授权化合物、红外吸收剂、红外吸收/阻挡膜、光电器件、传感器、电子设备和图像传感器是由权五逵;金畅基;崔惠成;金煌奭;朴仁仙;林东晰设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本化合物、红外吸收剂、红外吸收/阻挡膜、光电器件、传感器、电子设备和图像传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及化合物、红外吸收剂、红外吸收阻挡膜、光电器件、传感器、电子设备和图像传感器。由化学式1表示的化合物。在化学式1中，R1至R4、R11a至R14c和n与详细的说明书中限定的相同。[化学式1]

本发明授权化合物、红外吸收剂、红外吸收/阻挡膜、光电器件、传感器、电子设备和图像传感器在权利要求书中公布了：1.由化学式1表示的化合物： [化学式1] 其中，在化学式1中， R1至R4各自独立地为氢、氘、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、或C1至C10卤代烷基， R11a至R14c各自独立地为氢、氘、卤素、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、C1至C10卤代烷基、或由化学式1A表示的官能团，其中R11a至R14c的至少一个为由化学式1A表示的官能团，其中R11a至R14c彼此独立地存在，并且 n为1或2的整数， [化学式1A] ＊-L1-L2m-Ar 其中，在化学式1A中， L1和L2各自独立地为由化学式1A-11至1A-13之一表示的杂芳环基团或由化学式1A-17至1A-18之一表示的杂芳环基团： [化学式1A-11至1A-13] 其中，在化学式1A-11至1A-13中， X1和X2各自独立地为O、S、Se、或Te，并且 各杂芳环的氢任选地被以下代替：氘、卤素、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、或C1至C10卤代烷基， [化学式1A-17至1A-18] 其中，在化学式1A-17至1A-18中， X1和X2各自独立地为O、S、Se、Te、或NRa，其中Ra为氢、氘、C1至C10烷基、或C1至C10卤代烷基， Z1至Z4各自独立地为CRx或N，其中Rx为氢、氘、C1至C10烷基、C1至C10卤代烷基、或单键，其中在化学式1A-17至1A-18中，Z1至Z4之一为CRx，其中Rx为单键，并且 各芳环和杂芳环的氢任选地被以下代替：氘、卤素、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、或C1至C10卤代烷基， Ar是由化学式1B-14至1B-15之一表示的杂芳环基团或由化学式1C-1a表示的基团： [化学式1B-14至1B-15] 其中，在化学式1B-14至1B-15中， X1、X2和X3各自独立地为O、S、Se、Te、或NRa，其中Ra为氢、氘、C1至C10烷基、或C1至C10卤代烷基，并且 各杂芳环的氢任选地被以下代替：氘、卤素、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、或C1至C10卤代烷基， [化学式1C-1a] 其中，在化学式1C-1a中， Z1至Z10各自独立地为N或CRx，其中Rx为氢、氘、C1至C10烷基、C1至C10卤代烷基、或C1至C10烷氧基，并且 当Z1至Z10为CRx时，Z1至Z10各自的Rx独立地存在，并且 m为0或1。

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