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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110743999.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由刘杰;杨彬;应战设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：提供半导体基底；图形化所述第一介质层，以在所述基底中形成沿所述基底延伸的沟槽；在所述沟槽内依次形成第一辅助层和第一金属层，所述第一金属层位于所述第一辅助层朝向所述第一介质层的一侧；在所述基底的第二表面对所述基底进行减薄，至暴露所述第一辅助层；去除所述第一辅助层，形成第一开口；在所述基底的第二表面上形成第二金属层，并使得所述第二金属层填充所述第一开口。该方法在形成沟槽后先在沟槽底部填入第一辅助层，因此不会因同时研磨到衬底和第一金属层，造成衬底出现裂缝，可以防止铜污染到旁边硅层表面或裂缝中，从而提高TSV制作的成品率。

本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述基底的第一表面上形成有第一介质层； 图形化所述第一介质层，以在所述基底中形成沿所述基底延伸的沟槽； 在所述沟槽内依次形成第一辅助层和第一金属层，所述第一金属层位于所述第一辅助层朝向所述第一介质层的一侧； 在所述基底的第二表面对所述基底进行减薄，至暴露所述第一辅助层； 去除所述第一辅助层，形成第一开口； 在所述基底的第二表面上形成第二金属层，并使得所述第二金属层填充所述第一开口； 其中，在所述沟槽内依次形成第一辅助层和第一金属层之前，所述方法还包括： 在所述沟槽的内壁依次形成介电层和第一阻挡层； 其中，在所述去除所述第一辅助层，形成第一开口之后，且在所述形成第二金属层之前，在所述基底的第二表面上形成第二介质层，所述第二介质层具有第二开口，所述第二开口暴露所述第一开口； 其中，所述形成第二金属层之后，所述方法还包括： 蚀刻去除所述介电层，形成气隙结构；所述气隙结构为位于所述第一阻挡层和所述沟槽的内壁之间的空隙； 其中，所述蚀刻去除所述介电层，形成气隙结构，包括： 蚀刻去除所述第一介质层和所述沟槽中的所述介电层； 在所述基底的所述第一表面上快速沉积第三介质层，以在所述沟槽中形成所述气隙结构。

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