长鑫存储技术有限公司吴玉雷获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110753737.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制作方法及半导体结构是由吴玉雷设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开是提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，包括：在基板上形成多个电容孔，电容孔的底端暴露出部分基板；在电容孔表面上形成下电极层；在下电极层表面上形成连续覆盖下电极层表面的介电层；通过第一成膜工艺在介电层表面连续覆盖第一上电极层；通过第二成膜工艺在电容孔的周向上形成连续覆盖第一上电极层表面的第二上电极层，同时在电容孔的轴向上形成不连续覆盖第一上电极层表面的第二上电极层。本公开中，在电容孔内所形成的第二上电极层的横截面和纵截面均为不连续的截面，降低电容漏电，提高半导体结构的可靠性。
本发明授权一种半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 在基板上形成多个电容孔，所述电容孔的底端暴露出部分所述基板； 在所述电容孔表面上形成下电极层； 形成连续覆盖所述下电极层表面的介电层； 通过第一成膜工艺在所述介电层表面连续覆盖第一上电极层，所述第一上电极层的材料包括TiN； 通过第二成膜工艺在所述电容孔的周向上形成连续覆盖所述第一上电极层表面的第二上电极层，同时在所述电容孔的轴向上形成不连续覆盖所述第一上电极层表面的所述第二上电极层，所述第二上电极层的材料包括TiN，所述第一成膜工艺包括第一沉积速率，所述第二成膜工艺包括第二沉积速率，所述第一沉积速率小于所述第二沉积速率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号