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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利微凸块及其形成方法、芯片互连结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110756416.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权微凸块及其形成方法、芯片互连结构及方法是由范增焰设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本微凸块及其形成方法、芯片互连结构及方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种微凸块及其形成方法、芯片互连结构及方法，其中，微凸块的形成方法包括：提供芯片，所述芯片至少包括硅衬底和贯穿所述硅衬底的硅通孔；在所述硅通孔中形成导电层，其中，所述导电层在第一方向上具有第一预设尺寸，所述第一方向为所述硅衬底的厚度方向；在所述硅通孔中的所述导电层的表面形成连接层；其中，所述连接层在所述第一方向上具有第二预设尺寸；所述第一预设尺寸与所述第二预设尺寸之和等于所述硅通孔在所述第一方向上的初始尺寸；处理所述硅衬底，暴露出所述连接层，形成与所述硅通孔对应的微凸块。通过本申请，可以实现制备具有小尺寸和小间距的微凸块。

本发明授权微凸块及其形成方法、芯片互连结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种微凸块的形成方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供芯片，所述芯片至少包括硅衬底和贯穿所述硅衬底的硅通孔； 在所述硅通孔中形成导电层，其中，所述导电层在第一方向上具有第一预设尺寸，所述第一方向为所述硅衬底的厚度方向； 在所述硅通孔中的所述导电层的表面形成连接层；其中，所述连接层在所述第一方向上具有第二预设尺寸；所述第一预设尺寸与所述第二预设尺寸之和等于所述硅通孔在所述第一方向上的初始尺寸； 处理所述硅衬底，暴露出所述连接层，形成与所述硅通孔对应的微凸块； 在形成所述导电层之前，所述方法还包括： 在所述硅通孔的内壁沉积绝缘材料，形成绝缘层； 在所述绝缘层的表面沉积阻挡材料，形成阻挡层； 在所述阻挡层的表面沉积种子材料，形成种子层； 所述硅衬底的第一面形成有所述绝缘层、所述阻挡层和所述种子层；所述方法还包括： 在形成所述连接层之后，对所述硅衬底的第一面进行化学机械抛光处理，以去除所述硅衬底第一面的所述绝缘层、所述阻挡层和所述种子层； 其中，所述处理所述硅衬底，暴露出所述连接层，形成与所述硅通孔对应的微凸块，包括： 以所述硅衬底的第一面为刻蚀起点，去除具有所述第二预设尺寸的硅衬底，保留位于所述连接层侧壁的所述绝缘层、所述阻挡层和所述种子层，暴露出具有所述第二预设尺寸的连接层，形成与所述硅通孔对应的微凸块； 或，所述处理所述硅衬底，暴露出所述连接层，形成与所述硅通孔对应的微凸块，包括： 以所述硅衬底的第一面为刻蚀起点，去除具有所述第二预设尺寸的硅衬底和位于所述连接层侧壁的所述绝缘层、所述阻挡层和所述种子层，暴露出具有所述第二预设尺寸的连接层，形成与所述硅通孔对应的微凸块。

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