中国人民解放军国防科技大学陈谦获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113391470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110799089.2，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构是由陈谦;易木俣;王朗宁;荀涛;张军设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构在说明书摘要公布了：本发明涉及光导器件领域，特别是一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构，包括SiC衬底，所述SiC衬底上下表面设有透明电极，两个所述透明电极外表面设有DBR反射层；所述DBR反射层包括若干高折射率层和若干低折射率层，若干所述高折射率层、若干所述低折射率层交错设置，所述DBR反射层最上层和最下层为高折射率层。本发明能够增强光导器件对外界光激发的响应能力。
本发明授权一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构在权利要求书中公布了：1.一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构，其特征在于：包括SiC衬底1，所述SiC衬底1上下表面设有透明电极2，两个所述透明电极2外表面设有DBR反射层3； 所述DBR反射层3包括若干高折射率层4和若干低折射率层5，若干所述高折射率层4、若干所述低折射率层5交错设置，所述DBR反射层3最上层和最下层为高折射率层4； 将所述DBR反射层3设置为所述高折射率层4和所述低折射率层55叠加，改变光在所述DBR反射层3的反射角度，从而增强了光在两层所述DBR反射层3的次数，从而增加SiC衬底1的吸光效率； 侧向入射的激光，进入所述SiC衬底1中； 所述透明电极2的厚度满足入射波长的14的奇数倍。
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