台湾积体电路制造股份有限公司王屏薇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器装置以及存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110869914.1，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权存储器装置以及存储器单元是由王屏薇;包家豪;叶主辉;徐国修;林建隆;林士豪;林佑宽;杨智铨;洪连嵘设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置以及存储器单元在说明书摘要公布了：一种存储器装置，包含存储器阵列，包含多个存储器单元，各存储器单元包含第一字元线、第二字元线、以及位元线。第一字元线施加第一信号以选取各存储器单元，以从各存储器单元读取数据或者将数据写入各存储器单元。第二字元线施加第二信号以选取各存储器单元，以从各存储器单元读取数据或者将数据写入各存储器单元。位元线在至少第一字元线或者第二字元线的其中之一选取各存储器单元时，从各存储器单元读取数据或者提供写入各存储器单元的数据。
本发明授权存储器装置以及存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包含： 一存储器阵列，包含多个存储器单元，各存储器单元包含： 一第一字元线，施加一第一信号以选取该各存储器单元，以从该各存储器单元读取数据或者将数据写入该各存储器单元； 一第二字元线，施加一第二信号以选取该各存储器单元，以从该各存储器单元读取数据或者将数据写入该各存储器单元； 一位元线，在至少该第一字元线或者该第二字元线的其中之一者选取该各存储器单元时，从该各存储器单元读取数据或者提供写入该各存储器单元的数据， 其中该位元线包含一第一位元线部分以及从该第一位元线部分隔开的一第二位元线部分， 其中所述存储器单元的一第一存储器单元的该第一位元线部分紧靠着并连接所述存储器单元中相邻于该第一存储器单元的一第二存储器单元的该第二位元线部分。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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