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龙图腾网获悉苏州新应期电子科技有限公司申请的专利一种电容欠压和掉电检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113484591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110926649.6，技术领域涉及：G01R19/165；该发明授权一种电容欠压和掉电检测电路是由陈志敏;杨烨设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容欠压和掉电检测电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种电容欠压和掉电检测电路，包括：与外接电源连接的电容C1、充电电路、光耦U1、光耦U2、三极管Q2、分压电路、三极管Q1和电阻R2，在电容C1充电阶段，电容C1、光耦U1内的发光二极管和充电电路形成放电回路，光耦U1导通将输出out下拉到地，输出out为低电平；在稳定状态下电容C1处于欠压状态，分压电路分压点的电压小于三极管Q1的开启电压阈值，三极管Q1关断，输出out为高电平；电容C1掉电时，当光耦U2内的发光二极管两端的压差由负值变为正值、且该正值压差大于光耦U2内的发光二极管的导通电压时，光耦U2内的发光二极管导通、光耦U2内的三极管导通，三极管Q2导通，三极管Q2把三极管Q1的基极下拉到地、三极管Q1关断，输出out为高电平。

本发明授权一种电容欠压和掉电检测电路在权利要求书中公布了：1.一种电容欠压和掉电检测电路，其特征在于，包括：与外接电源连接的电容C1、充电电路、光耦U1、光耦U2、三极管Q2、分压电路、三极管Q1和电阻R2，所述电容C1与充电电路连接，光耦U1和光耦U2内的发光二极管与电容C1和充电电路连接，并且光耦U1内的发光二极管正向连接、光耦U2内的发光二极管反向连接，光耦U1的输出端与地和所述电容欠压和掉电检测电路的输出out连接，光耦U2的输出端与三极管Q2的输入端连接，三极管Q2的输出端与三极管Q1的输入端连接，三极管Q1的输出端与所述输出out连接，分压电路与电容C1并联并且与三极管Q1的输入端连接，电阻R2的一端与参考电压Vref连接、另一端与所述输出out连接；光耦U1用于，在电容C1充电阶段，电容C1、光耦U1内的发光二极管和充电电路形成放电回路，光耦U1导通将输出out下拉到地，输出out为低电平；分压电路用于，在稳定状态下电容C1处于欠压状态，分压电路分压点的电压小于三极管Q1的开启电压阈值，三极管Q1关断，输出out为高电平；光耦U2用于，电容C1掉电时，当光耦U2内的发光二极管两端的压差由负值变为正值、且该正值压差大于光耦U2内的发光二极管的导通电压时，光耦U2内的发光二极管导通、光耦U2内的三极管导通，三极管Q2导通，三极管Q2把三极管Q1的基极下拉到地、三极管Q1关断，输出out为高电平，所述电容C1的正极与外接电源的正极连接，电容C1的负极与外接电源的负极连接并且接地，所述光耦U1内的发光二极管的正极与电容C1的正极连接，光耦U1内的发光二极管的负极与充电电路连接，光耦U1内的发光二极管发光则光耦U1内的三极管导通，光耦U1内的三极管的集电极与输出out连接，光耦U1内的三极管的发射极接地；光耦U2内的发光二极管的负极与电容C1的正极连接，光耦U2内的发光二极管的正极与充电电路连接，光耦U2内的发光二极管发光则光耦U2内的三极管导通，光耦U2内的三极管的集电极与电容C1的正极连接，光耦U2内的三极管的发射极与三极管Q2的输入端连接，所述三极管Q1为MOS管，三极管Q2的集电极与三极管Q1的栅极连接，三极管Q2的发射极接地，三级管Q1的漏极与输出out连接，三极管Q1的源极接地；所述光耦U2内的三极管的集电极与电阻R1连接、再与电容C1的正极连接，电阻R1用于对通过三极管Q2的基极的电流进行限流，所述分压电路由电阻R3和电阻R6串联组成，电阻R3的一端与电容C1的正极连接、另一端与电阻R6连接，电阻R6的另一端接地，三极管Q1的栅极与电阻R3与电阻R6之间的分压点连接。

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