北京大学深圳研究生院张冠张获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利一种半导体器件超临界处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110985825.3，技术领域涉及：H01L21/322；该发明授权一种半导体器件超临界处理方法是由张冠张;李蕾;刘凯设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件超临界处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件超临界处理方法，通过提供一半导体器件以及第二物质，第二物质为含碳元素以及氢元素的化合物；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质进入半导体结构中，第二物质或第二物质的元素与半导体结构中晶体缺陷产生的悬挂键键合，起到对晶体缺陷的修复作用，降低晶体缺陷对半导体器件性能的影响。
本发明授权一种半导体器件超临界处理方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件超临界处理方法，其特征在于，包括： 提供一半导体器件、第一物质以及第二物质，所述第二物质为含碳元素以及氢元素的化合物； 对所述第一物质进行超临界化处理，获取超临界态的第一物质，其中，处理温度T为T1≤T，处理压力P为P1≤P，T1为所述第一物质的临界温度，P1为所述第一物质的临界压力； 通过超临界态的第一物质对所述第二物质进行处理，以得到超临界态的第二物质； 通过超临界态的第二物质对所述半导体器件的半导体结构进行晶体缺陷修复。
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