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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115802752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111058233.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构的形成方法是由程东向;周朝锋;代洪刚;金龙灿;李勇设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干核心结构，所述核心结构包括第一核心层、第二核心层和第三核心层，第一核心层和第二核心层平行于第一方向且在第一方向上的中轴线重合，第三核心层平行于第二方向，所述第二核心层的第一端同时与第一核心层的一端和第三核心层的一端相连接，第二端与相邻的第三核心层相接触；在衬底上形成字线结构，字线结构的图形为第一核心层经过自对准双重图形技术形成的图形；在衬底上形成连接层，连接层与字线结构一一对应且相互连接，连接层的图形为第三核心层经过自对准双重图形技术形成的图形。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底上形成若干核心结构，若干所述核心结构等间距排列，所述核心结构包括第一核心层、第二核心层和第三核心层，所述第一核心层和第二核心层平行于第一方向，且所述第一核心层和第二核心层在第一方向上的中轴线重合，所述第三核心层平行于第二方向，所述第二核心层包括第一端和第二端，所述第一端同时与第一核心层的一端和第三核心层的一端相连接，所述第二端与相邻的第三核心层相接触，所述第一方向和第二方向平行于衬底表面，且所述第一方向和第二方向垂直，若干所述第一核心层在第二方向上平行排列，若干所述第二核心层在第二方向上平行排列，若干所述第三核心层在第一方向上平行排列，所述第二核心层用于在形成第一核心层和第三核心层时修复边缘临界效应； 在衬底上形成字线结构，所述字线结构的图形为所述第一核心层经过自对准双重图形技术形成的图形； 在衬底上形成连接层，所述连接层与字线结构一一对应且相互连接，所述连接层的图形为所述第三核心层经过自对准双重图形技术形成的图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。