厦门三安光电有限公司李佳恩获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006407.3，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置是由李佳恩;吴政;夏德玲;詹伯祺;叶雪萍设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置，包括：至少一支撑结构，所述支撑结构至少包括若干不同应力方向的介质层交叠而成桥臂结构，相邻所述介质层结构的材料不同；半导体层序列；所述桥臂与所述半导体层序列接触固定，通过将不同应力方向的多层介质层进行交叉堆叠形成的桥臂结构，从而使得其内部产生的应力能够抵消，解决了桥臂结构容易断裂的问题。
本发明授权一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置在权利要求书中公布了：1.一种微发光组件，包括：基板、具有半导体层序列的主体、支撑结构，支撑结构将主体固定在基板上， 其特征在于，包括： 支撑结构至少包括第一介质层和第二介质层；第一介质层材料不同于第二介质层材料，第一介质层位于第二介质层和半导体层序列之间，第二介质层用于连接支撑结构和主体， 第一介质层位于第二介质层表面； 主体与所述基板上表面之间具有间隙； 其中第二介质层厚度大于第一介质层厚度， 第一介质层的材料为氧化硅，第一介质层与主体的半导体层序列连接，第二介质层的材料为氮化硅，其中第一介质层的厚度为0.1微米至0.5微米；第二介质层的厚度为0.15微米至0.3微米，0.3微米至0.8微米，或者0.8微米至2微米，第一介质层、第二介质层的宽度为1微米至20微米。
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