买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111204390.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由西康一;田中翔;曾根田真也;小西和也设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供适于抑制闩锁的半导体装置。在被相邻的有源沟槽夹着的台面区域，第3半导体层具有以与相邻的有源沟槽中的一个有源沟槽接触且与另一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于第1方向的区域、以与另一个有源沟槽接触且与一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于第1方向的区域，在被相邻的有源沟槽夹着的台面区域，第4半导体层在俯视观察时配置于与一个有源沟槽接触侧的第3半导体层和与另一个有源沟槽接触侧的第3半导体层之间、以及在第1方向上离散的第3半导体层的各区域之间。

本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有半导体基体，该半导体基体具有第1主面及与所述第1主面相反侧的主面即第2主面， 在所述半导体基体的第1元件区域设置有晶体管， 所述半导体基体在所述第1元件区域具有： 第1导电型的第1半导体层； 第2导电型的第2半导体层，其与所述第1半导体层相比设置于所述第1主面侧； 第1导电型的第3半导体层，其选择性地设置于所述第2半导体层的所述第1主面侧； 第1电极，其与所述第3半导体层电连接；以及 第4半导体层，其与所述第2半导体层相比第2导电型的杂质浓度高，配置于所述第2半导体层和所述第1电极之间， 所述半导体基体在所述第1元件区域设置有从所述第1主面将所述第3半导体层及所述第2半导体层贯穿而达到所述第1半导体层的多个第1沟槽， 所述多个第1沟槽在俯视观察时各自在第1方向上延伸， 所述多个第1沟槽在俯视观察时配置为条带状， 所述多个第1沟槽中的至少一部分是以在该第1沟槽内隔着栅极绝缘膜与所述第2半导体层相对的方式设置有栅极电极的有源沟槽， 所述多个第1沟槽的所述条带状的配置具有所述有源沟槽彼此相邻的部分， 在被相邻的沟槽夹着的区域即台面区域中的被相邻的所述有源沟槽夹着的台面区域，所述第3半导体层具有以与所述相邻的所述有源沟槽中的一个所述有源沟槽接触且与另一个所述有源沟槽不接触的方式离散地配置于所述第1方向的区域、以与所述另一个有源沟槽接触且与所述一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于所述第1方向的区域， 在被所述相邻的所述有源沟槽夹着的所述台面区域，所述第4半导体层在俯视观察时配置于与所述一个所述有源沟槽接触侧的所述第3半导体层和与所述另一个所述有源沟槽接触侧的所述第3半导体层之间、以及在所述第1方向上离散的所述第3半导体层的各区域之间， 所述多个第1沟槽中的一部分为具有在该沟槽内隔着栅极绝缘膜形成的哑栅极电极的哑沟槽， 所述哑栅极电极与所述第1电极电连接， 所述第3半导体层形成为与哑沟槽的侧壁不接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。