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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器的制备方法及光刻掩膜版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111228750.0，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器的制备方法及光刻掩膜版是由张坤;周文犀;夏志良设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器的制备方法及光刻掩膜版在说明书摘要公布了：本申请提供制备三维存储器的方法及光刻掩膜版。方法包括：在衬底上形成第一叠层结构；形成贯穿其中并延伸至衬底的第一沟道孔，并采用牺牲层填充第一沟道孔；在第一叠层结构上形成第二叠层结构，并在第二叠层结构远离衬底的表面上形成刻蚀掩膜层；对刻蚀掩膜层进行图案化，以形成第二沟道孔的图案、栅极间隙的图案、虚拟沟道孔的图案和导电接触孔的图案中的至少两个；以图案化的刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成第二沟道孔、栅极间隙、虚拟沟道孔和导电接触孔中的至少两个。本申请提供的制备方法在简化工艺步骤、节省制备成本的同时，通过在多叠层结构的上表面预埋包括多个刻蚀图案的刻蚀掩膜层可提高刻蚀过程的套刻精度，提高三维存储器的整体性能。

本发明授权三维存储器的制备方法及光刻掩膜版在权利要求书中公布了：1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成第一叠层结构； 形成贯穿所述第一叠层结构并延伸至所述衬底的第一沟道孔，并采用牺牲层填充所述第一沟道孔； 在所述第一叠层结构上形成第二叠层结构，并在所述第二叠层结构的、远离所述衬底的表面上形成刻蚀掩膜层； 对所述刻蚀掩膜层进行图案化，以在所述刻蚀掩膜层中形成第二沟道孔的图案、栅极间隙的图案、虚拟沟道孔的图案以及导电接触孔的图案中的至少两个，其中对所述刻蚀掩膜层进行图案化包括：在所述刻蚀掩膜层上覆盖第一光刻胶层；以及采用光刻工艺将光刻掩膜版的图案转移至所述第一光刻胶层中，图案化的所述第一光刻胶层中第二沟道孔的图案、栅极间隙的图案、虚拟沟道孔的图案以及导电接触孔的图案的径向尺寸均大于所述刻蚀掩膜层中与其对应部分的径向尺寸；以及 以图案化的所述刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成所述第二沟道孔、所述栅极间隙、所述虚拟沟道孔以及所述导电接触孔中的至少两个， 其中，所述第二沟道孔贯穿所述第二叠层结构，并与所述第一沟道孔至少部分对准以形成容纳沟道结构的沟道孔。

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