长江存储科技有限责任公司徐齐获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111249288.2，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权芯片封装结构是由徐齐;王超;锁志勇;仝金雨设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片封装结构。该芯片封装结构包括：封装基板，封装基板的第一表面电连接有驱动芯片；应力分散层，设置于第一表面上并位于驱动芯片的外周，且在垂直于第一表面的方向上，应力分散层的厚度大于或等于驱动芯片的厚度；应力缓冲层，覆盖应力分散层并包裹驱动芯片；半导体芯片组，设置于应力缓冲层上并与第一表面电连接。本申请通过设置上述应力分散层，能够用于分散封装过程中半导体芯片组由于受到外力施加而产生的向下的应力，从而有效避免现有技术中应力集中在与应力缓冲层中与驱动芯片边缘对应的区域，所导致的半导体芯片组中底部芯片损坏，进而降低了半导体芯片组中芯片发生失效造成短路的风险，提高了芯片封装结构的性能。
本发明授权芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 封装基板，所述封装基板的第一表面电连接有驱动芯片； 应力分散层，设置于所述第一表面上并位于所述驱动芯片的外周，且在垂直于所述第一表面的方向上，所述应力分散层的厚度大于或等于所述驱动芯片的厚度； 应力缓冲层，覆盖所述应力分散层并包裹所述驱动芯片； 所述驱动芯片与所述应力分散层之间杨氏模量的差值为Y1，所述驱动芯片与所述应力缓冲层之间杨氏模量的差值为Y2，Y1＜Y2； 半导体芯片组，设置于所述应力缓冲层上并与所述第一表面电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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