格芯新加坡私人有限公司陈学深获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利半导体存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111262267.4，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权半导体存储器器件是由陈学深;蔡新树;卓荣发设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器器件在说明书摘要公布了：本文的实施例涉及半导体存储器器件及其形成方法。提供了一种半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括双栅极晶体管和存储器基元。存储器基元与双栅极晶体管相邻，其中存储器基元与双栅极晶体管共用公共电极。
本发明授权半导体存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 双栅极晶体管，所述双栅极晶体管包括： 栅电极堆叠，其包括第一栅电极和位于所述第一栅电极上方的第二栅电极； 位于所述第一栅电极上方的第一栅极电介质层，所述第一栅极电介质层具有最下表面； 介于所述第一栅极电介质层和所述第二栅电极之间的第二栅极电介质层； 源电极；以及 漏电极，其中所述源电极和所述漏电极在所述栅电极堆叠的横向相反两侧与所述栅电极堆叠相邻，并且包括与所述第一栅极电介质层的所述最下表面基本共面的下表面；以及 与所述双栅极晶体管相邻的存储器基元，其中所述存储器基元和所述双栅极晶体管共用公共电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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