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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111266553.8，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀窗口的方法是由陈串;李东;吴智勇设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀窗口的方法，该浅沟槽隔离刻蚀工艺刻蚀窗口的方法包括：提供衬底，在衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层、第一底层抗反射涂层和光刻胶层；通过刻蚀工艺进行第一次光刻形成第一窗口；进行第二次光刻形成第二窗口；去除光刻胶层和第一底层抗反射涂层形成第三窗口；在第三窗口内形成第二底层抗反射涂层；对第三窗口内的第二底层抗反射涂层进行第三次光刻，以通过刻蚀第三窗口内的第二底层抗反射涂层产生的聚合物作为侧壁保护层，以侧壁保护层作为阻挡层在氮化硅层、氧化硅层和衬底上形成具有一定倾斜角度的第四窗口，第四窗口为浅沟槽隔离的浅沟槽。本发明通过形成较好形貌的浅沟槽及通孔。

本发明授权浅沟槽隔离及通孔刻蚀工艺刻蚀窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离刻蚀工艺刻蚀窗口的方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底上形成氧化硅层； 在氧化硅层上形成氮化硅层； 在氮化硅层上形成第一底层抗反射涂层； 在第一底层抗反射涂层上形成光刻胶层； 通过刻蚀工艺对光刻胶层和第一底层抗反射涂层进行第一次光刻至氮化硅层的上表面形成第一窗口； 通过刻蚀工艺沿所述第一窗口对氮化硅层和氧化硅层进行第二次光刻，形成第二窗口； 去除光刻胶层和第一底层抗反射涂层，在氮化硅层和氧化硅层上形成第三窗口； 在氮化硅层上及其上的第三窗口内形成第二底层抗反射涂层； 去除氮化硅层上的第二底层抗反射涂层； 通过刻蚀工艺对第三窗口内的第二底层抗反射涂层进行第三次光刻至衬底内，以通过刻蚀第三窗口内的第二底层抗反射涂层产生的聚合物作为侧壁保护层，以侧壁保护层作为阻挡层在氮化硅层、氧化硅层和衬底上形成具有一定倾斜角度的第四窗口，所述第四窗口为浅沟槽隔离的浅沟槽；所述去除氮化硅层上的第二底层抗反射涂层的使用气体及参数如下： 使用气体及流量为：CF4，80-100sccm； 射频功率为：300-400w； 射频电压为：120-180V； 气体压力为：5-8mtorr。

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