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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体元件、半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111312118.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体元件、半导体装置是由小西和也;西康一;古川彰彦设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件、半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供能够使CgcCge的比值变大的半导体元件和半导体装置。特征在于，具有：发射极电极，其形成于半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的漂移层，其形成于该半导体基板之中；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板的上表面侧；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板的上表面侧；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；以及2层哑有源沟槽，其在该半导体基板的沟槽的内部，在上层具有不与该栅极电极连接的上层哑部，在下层具有与该栅极电极连接、被绝缘膜覆盖的下层有源部，该下层有源部的长度方向长度比该下层有源部的宽度大。

本发明授权半导体元件、半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，具有： 半导体基板； 发射极电极，其形成于所述半导体基板之上； 栅极电极，其形成于所述半导体基板之上； 第1导电型的漂移层，其形成于所述半导体基板之中； 第1导电型的源极层，其形成于所述半导体基板的上表面侧； 第2导电型的基极层，其形成于所述半导体基板的上表面侧； 集电极电极，其形成于所述半导体基板之下； 2层哑有源沟槽，其在所述半导体基板的沟槽的内部，在上层具有不与所述栅极电极连接的上层哑部，在下层具有与所述栅极电极连接、被绝缘膜覆盖的下层有源部；以及 有源沟槽，其具有沿所述半导体基板的沟槽设置的栅极绝缘膜、与所述栅极绝缘膜接触地设置且与所述栅极电极连接的有源部， 所述下层有源部的沟槽深度方向上的长度比所述下层有源部的宽度大， 所述有源部被隔着中间绝缘膜而切断为上下2个部分， 所述半导体元件具有： 第1绝缘膜，其将所述有源部中的比所述中间绝缘膜更靠上侧的部分覆盖；以及 第2绝缘膜，其将所述有源部中的比所述中间绝缘膜更靠下侧的部分覆盖， 所述第2绝缘膜的侧壁部分和底部分比所述第1绝缘膜厚。

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