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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院申请的专利一种蓝光光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111318305.3，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权一种蓝光光电二极管及其制备方法是由陈冬冬;郑雪;张杰;任超;马明;杨春雷设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种蓝光光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供的蓝光光电二极管及其制备方法，在处理后的基底上依次设置空穴传输层、量子点发光层及电子传输层，所述空穴传输层为I‑III‑VI族黄铁矿量子点，再在上述步骤中得到的器件的阳极区域上设置金属电极，本申请提供的蓝光光电二极管，采用Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族黄铁矿无机量子点材料替代传统的有机空穴功能层PEDOT:PSSPVK，以达到空穴功能层与发光层能带匹配和提升空穴迁移率的目的，使得器件中电子和空穴注入平衡，实现高效稳定的蓝光QLED器件。

本发明授权一种蓝光光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种蓝光光电二极管，其特征在于，包括从下至上依次设置的基底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及电极，所述空穴传输层为I-III-VI族黄铁矿量子点； 所述I-III-VI族黄铁矿量子点为铜镓硫量子点； 所述量子点发光层为镉系核壳量子点； 所述镉系核壳量子点为CdSCdSe核壳量子点； 所述电子传输层为ZnO的纳米晶体； 所述电极为银或金； 所述蓝光光电二极管的制备方法，包括下述步骤： 对基底进行处理； 在处理后的基底上依次设置空穴传输层、量子点发光层及电子传输层，所述空穴传输层为I-III-VI族黄铁矿量子点； 在上述步骤中得到的器件的阳极区域上设置金属电极，得到所述蓝光光电二极管； 在处理后的基底上依次设置空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的步骤中，具体为：在处理后的基底上依次旋涂CuGaS2量子点溶液，CdSCdSe核壳量子点溶液，ZnO的纳米晶体溶液； 所述铜镓硫量子点的制备方法如下： 在无氧状态下，将硫单质及十八烯进行加热至170-210℃反应，得到S前驱体溶液； 在无氧状态下，将碘化亚铜、三碘化镓、油胺及正十二硫醇搅拌加热至100-120℃，并保温15-25min后加热至170-190℃，得到预反应溶液； 将所述S前驱体溶液及所述预反应溶液混合反应后自然冷却到室温得到母液； 将所述母液用过量的正己烷分散，离心去除沉淀，再将滤液用过量乙醇析出得到固体样品； 对所述固体样品进行纯化，最终分散在正己烷中，得到所述铜镓硫量子点。

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