中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所王哲明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068444B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111356887.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用是由王哲明;张璇;于国浩;张宝顺;邓旭光设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用。所述用于氮化镓高温退火的保护结构包括：依次层叠设置在氮化镓材料表面的第一保护层、第二保护层和第三保护层，所述第一保护层、第二保护层和第三保护层的材质包括AlN。本发明实施例提供的一种氮化镓高温退火激活的方法，可以避免在GaN表面生长保护层而产生的应力问题。
本发明授权用于氮化镓高温退火的保护结构及其应用在权利要求书中公布了：1.一种用于氮化镓高温退火的保护结构，其特征在于包括：依次层叠设置在氮化镓材料表面的第一保护层、第二保护层和第三保护层，所述第一保护层、第二保护层和第三保护层的材质包括AlN，其中，所述第三保护层为低应力AlN； 所述第一保护层、所述第二保护层、所述第三保护层是采用物理和或化学气相沉积方式生长形成的，所述第一保护层是在氮气作为保护气体气氛下生长形成的，所述第一保护层的生长温度为1100～1200℃，生长时间为1～3min，所述第一保护层的厚度为1～10nm，所述第二保护层的生长温度为600～800℃，生长时间为4～10min，所述第二保护层的厚度为5～25nm，所述第三保护层的生长温度为200～400℃，所述第三保护层的厚度为120～270nm。
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