爱思开海力士有限公司金承焕获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利存储单元和存储器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114695358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111622947.2,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权存储单元和存储器件是由金承焕;辛东善;郑璲钰;陈一燮;车宣龙设计研发完成,并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元和存储器件在说明书摘要公布了:本申请公开了存储单元和存储器件。该存储单元包括:衬底;有源层,其与所述衬底的表面间隔开并沿平行于所述衬底的表面的方向延伸;位线,其被耦接到所述有源层的一侧并沿垂直于所述衬底的表面的方向延伸;电容器,其被耦接到所述有源层的另一侧并与所述衬底的表面间隔开;以及字线,其与所述有源层垂直间隔开并沿与所述有源层相交的方向延伸,其中,所述字线包括彼此面对的第一凹口状侧壁和第二凹口状侧壁。
本发明授权存储单元和存储器件在权利要求书中公布了:1.一种存储单元,包括: 衬底; 有源层,其与所述衬底的表面间隔开并沿平行于所述衬底的表面的方向延伸; 位线,其被耦接到所述有源层的一侧并沿垂直于所述衬底的表面的方向延伸; 电容器,其被耦接到所述有源层的另一侧并与所述衬底的表面间隔开;以及 字线,其与所述有源层垂直间隔开并沿与所述有源层相交的方向延伸, 其中,所述字线包括彼此面对的第一凹口状侧壁和第二凹口状侧壁, 其中,所述有源层包括: 沟道,其与所述字线垂直交叠; 其中,所述沟道包括在所述字线延伸的方向上突出的突出部。
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