环球晶圆股份有限公司M·潘诺基亚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利用于以连续直拉法生长单晶硅锭的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118854432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410933960.7，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权用于以连续直拉法生长单晶硅锭的方法是由M·潘诺基亚;F·马尔凯塞;J·霍外基特设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于以连续直拉法生长单晶硅锭的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了用于以连续直拉法生长单晶硅锭的方法。在锭的主体生长之前，一批缓冲剂例如石英碎玻璃经添加到坩埚组合件的外熔体区。在一些实施例中，添加到熔体的所述一批缓冲剂的质量M与将所述一批缓冲剂添加到所述熔体和所述锭主体开始生长之间的时间的比率经控制，使得所述MT比率大于阈值MT。
本发明授权用于以连续直拉法生长单晶硅锭的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于确定用于以连续直拉法生长单晶硅锭的MT的阈值比率的方法，所述连续直拉法包括在坩埚组合件中形成硅熔体，将一批石英碎玻璃添加到所述熔体，其中所述批具有质量M，使所述熔体的表面与晶种接触，从所述熔体抽提单晶硅锭，所述单晶硅锭包括主体，在将所述一批石英碎玻璃添加到所述熔体与所述主体开始生长之间存在时间T，并在抽提所述单晶硅锭的同时将固体多晶硅原料添加到所述坩埚组合件以补充所述熔体，所述方法包括： 生长多个单晶硅锭，其中所述锭中的至少两者以不同MT比率生长； 测量从所述多个单晶硅锭切割的一或多个晶片中的缺陷计数；及 确定从其切割具有低于阈值缺陷计数的缺陷计数的晶片的单晶硅锭的所述MT比率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人环球晶圆股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市工业东二路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号