北海惠科半导体科技有限公司郭幸辰获国家专利权
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龙图腾网获悉北海惠科半导体科技有限公司申请的专利光敏二极管的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111671859.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权光敏二极管的制备方法及半导体器件是由郭幸辰;鲁艳春设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本光敏二极管的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种光敏二极管的制备方法及半导体器件。该光敏二极管的制备方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面作扩散处理，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层；对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区。本申请的扩散方式设备成本造价低，具有更好的刻蚀均匀性且节省工序。
本发明授权光敏二极管的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种光敏二极管的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层； 通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层； 对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面作扩散处理，掺杂进入衬底较浅表的位置，从而生成第一掺杂区； 对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层； 通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的部分第一氧化层和部分第二氧化层，包括：对衬底正面的第一氧化层和第二氧化层进行各向异性刻蚀； 对衬底的正面作扩散处理，生成第二掺杂区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北海惠科半导体科技有限公司，其通讯地址为：536005 广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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