厦门三安光电有限公司张博扬获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种发光二极管及其发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006404.X，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种发光二极管及其发光装置是由张博扬;林凡威;林信泰;张中英设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其发光装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管，包括：半导体层序列，具有侧壁以及相对设置的第一表面和第二表面，包括在所述第一表面和第二表面之间顺序排列的半导体层序列，第二表面具有至少贯穿有源层、第二类型半导体层和部分第一类型半导体层的凹处，第一电连接层通过凹处与第一类型半导体层电连接，第一电连接层包括反射金属；凹处位于侧壁，至少凹处上方的侧壁具有表面粗化，防止因为反射金属造成芯片工艺黄光制程异常，提升产品良率。
本发明授权一种发光二极管及其发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，包括： 半导体层序列，具有侧壁以及相对设置的第一表面和第二表面，包括在所述第一表面和第二表面之间顺序排列的第一类型半导体层、设计用于产生辐射的有源层、第二类型半导体层， 与第一类型半导体层电连接的第一电连接层， 与第二类型半导体层电连接的第二电连接层， 半导体层序列的第二表面具有凹处，凹处至少贯穿有源层、第二类型半导体层和部分第一类型半导体层， 绝缘层从凹处延伸至第二表面， 第一电连接层在凹处内形成突出部，第一电连接层通过凹处与第一类型半导体层电连接， 在第一电连接层和第二电连接层之间设置绝缘层，利用绝缘层将第一电连接层和第二电连接层电隔离，第一电连接层包括反射金属； 其特征在于，凹处位于侧壁边缘， 部分从侧壁露出，至少凹处上方的侧壁具有表面粗化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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