株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社中川裕治获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利磁头及磁记录装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210078110.4，技术领域涉及：G11B5/10；该发明授权磁头及磁记录装置是由中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁头及磁记录装置在说明书摘要公布了：提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素。第2磁性层包含Fe100‑xCox100‑yEy10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％。第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。第1磁性层不包含第2元素，或者，第1磁性层中的第2元素的浓度比第2磁性层中的第2元素的浓度低。
本发明授权磁头及磁记录装置在权利要求书中公布了：1.一种磁头,具备： 第1磁极； 第2磁极；及 层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间， 所述层叠体包括： 第1磁性层； 第2磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间； 第1非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间； 第2非磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间；及 第3非磁性层，设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间， 所述第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素， 所述第2磁性层包含Fe100-xCox100-yEy，其中，25atm％≤x≤35atm％，10atm％≤y≤90atm％，第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个， 所述第1磁性层不包含所述第2元素，或者，所述第1磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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