苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司刘宏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司申请的专利一种碲化铋基半导体热电材料的合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210079717.4，技术领域涉及：H10N10/852；该发明授权一种碲化铋基半导体热电材料的合成方法是由刘宏;程新利;章于道设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碲化铋基半导体热电材料的合成方法在说明书摘要公布了：本发明是采用1感应耦合辅助的区熔‑定向凝固竖直区熔方法；2高密度晶核快速形成方法；3氩气压力调制的固、液、汽体积比控制方法。通过对生长前沿温度梯度、过冷熔融液态温度和结晶前沿处固、液、汽三个聚集态的体积比调制控制晶体的成核和生长过程，获得了一种在室温附近温区ZT达1.2、沿晶体生长方向物性不均匀度≤5％的纳米晶粒镶嵌的碲化铋基棒状热电材料。本发明所合成的热电材料对提高半导体温差电器件性能有巨大的促进，可广泛应用于高效废热回收和活性点温度管理等领域。
本发明授权一种碲化铋基半导体热电材料的合成方法在权利要求书中公布了：1.一种碲化铋基热电材料的合成方法，其特征在于，其包括： 1感应耦合辅助的区熔-定向凝固竖直区熔方法以提高制备的碲化铋基热电材料下部的均匀度和产生提高晶核形成密度的驱动力分布； 2氩气压力调制的固、液、汽体积比控制方法以提高制备的碲化铋基热电材料上部的均匀度； 所述的感应耦合辅助的区熔-定向凝固竖直区熔方法是指在熔区下沿的加热体底部设置了直径略大于石英管外径、长度为3-5厘米的感应线圈，在区熔-定向凝固结晶初始阶段通过对石英管底部辅以感应加热以获得初始生长阶段底部晶体处于小温度梯度生长状态，温度梯度场设置是通过加热体的移动速度、加热温度和电感耦合辅助加热共同建立的； 所述的氩气压力调制的固、液、汽体积比控制方法是指在感应耦合辅助的区熔-定向凝固竖直区熔至晶棒尾部阶段，启用氩气辅助调制晶棒尾部的液固温度梯度，通过氩气调节熔体质量传输和热传递快慢获得与晶体中部生长时一致的温度梯度和结晶前沿驱动力，其中，所述晶棒尾部是指上端的晶体生长前沿。
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