上海芯波电子科技有限公司胡孝伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海芯波电子科技有限公司申请的专利一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210091822.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片是由胡孝伟;代文亮;张竞颢;袁琳设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片，包括以下步骤：玻璃正面涂抗HF的腐蚀的胶膜；玻璃衬底经背面研磨减薄；通过化学机械抛光；玻璃衬底背面经一定比例的HF酸和氨水的混合溶液做同性刻蚀，形成碗状的凹槽；再用离子束蚀刻垂直导通形成深槽，刻穿玻璃衬底；蒸镀TiNCu种子层；通过带胶电镀形成细长的凸起；再次通过回流焊接工艺，形成球状；通过划片道切割；将单个单元的裸片与PCB高温焊接贴合。其优点在于：基于硅衬底的TSV原理对玻璃衬底3背面开孔的技术，其3DTGV的原理是在玻璃芯片的背面做铜走线的连接以及芯片与PCB板的焊接；从而实现器件堆叠减少集成芯片尺寸以及体积，缩短铜走线，降低功耗，提高电气性能。
本发明授权一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：玻璃正面涂抗HF的腐蚀的胶膜，并进入S2步骤； S2：玻璃衬底经背面研磨减薄，并进入S3步骤； S3：通过化学机械抛光，并进入S4步骤； S4：玻璃衬底背面经一定比例的HF酸和氨水的混合溶液做同性刻蚀，形成碗状的凹槽，并进入S5步骤； S5：再用离子束蚀刻垂直导通形成深槽，刻穿玻璃衬底，并进入S6步骤； S6：蒸镀TiNCu种子层，并进入S7步骤； S7：通过带胶电镀形成细长的凸起，并进入S8步骤； S8：再次通过回流焊接工艺，形成球状，并进入S9步骤； S9：通过划片道切割，并进入S10步骤； S10：将单个单元的裸片与PCB高温焊接贴合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海芯波电子科技有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区纳贤路60弄5号4层01室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号