长江存储科技有限责任公司孙超获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210108389.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由孙超;江宁;刘威设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状沟道；其中，柱状沟道的延伸方向垂直于晶圆表面；柱状沟道沿平行于晶圆表面的第一方向和平行于晶圆表面的第二方向阵列分布；在晶体管阵列的各柱状沟道的一侧壁上形成栅极，其中，栅极平行于第一方向且沿第二方向排列；在相邻柱状沟道之间形成金属层，其中，金属层沿第一方向延伸；在晶体管阵列的各柱状沟道的延伸方向的两端分别形成晶体管的源极和漏极。本申请实施例中源极和漏极分别位于柱状沟道延伸方向的两端，栅极位于柱状沟道的一侧壁，缩小了晶体管阵列的面积。且相邻柱状沟道之间形成有金属层，能够屏蔽字线对相邻柱状沟道产生的干扰。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括晶体管阵列；所述方法包括： 在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状沟道；其中，所述柱状沟道的延伸方向垂直于所述晶圆表面；所述柱状沟道沿平行于所述晶圆表面的第一方向和平行于所述晶圆表面的第二方向阵列分布； 在所述晶体管阵列的各柱状沟道的一侧壁上形成栅极，其中，所述栅极平行于所述第一方向且沿所述第二方向排列； 在相邻所述柱状沟道之间形成金属层，其中，所述金属层沿所述第一方向延伸； 在所述晶体管阵列的各所述柱状沟道的所述延伸方向的两端分别形成晶体管的源极和漏极； 形成存储电容，所述存储电容的第一电极与所述晶体管阵列中各晶体管的漏极或源极连接，所述存储电容的第二电极接公共端，所述存储电容用于存储写入所述半导体器件的数据。
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