长江先进存储产业创新中心有限责任公司贺祖茂获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利一种三维相变存储器的制造方法及三维相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210288193.X，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权一种三维相变存储器的制造方法及三维相变存储器是由贺祖茂;刘峻;杨红心;王恩博设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维相变存储器的制造方法及三维相变存储器在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种三维相变存储器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括存储区和对准区，所述存储区包括沿第三方向依次层叠分布的下层第一导电线和下层相变存储单元结构体，所述下层第一导电线与所述下层相变存储单元结构体沿与所述第三方向垂直的第一方向延伸；在所述对准区内形成第一沟槽；沉积下层第二导电线材料层，所述下层第二导电线材料层覆盖所述半导体结构的表面并填充所述第一沟槽；沿与所述第一方向相交的第二方向刻蚀所述下层相变存储单元结构体和所述下层第二导电线材料层，以在所述存储区形成下层相变存储单元和沿第二方向延伸的下层第二导电线，并在所述第一沟槽内形成第一对准标记凹槽。
本发明授权一种三维相变存储器的制造方法及三维相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种三维相变存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括存储区和对准区，所述存储区包括沿第三方向依次层叠分布的下层第一导电线和下层相变存储单元结构体，所述下层第一导电线与所述下层相变存储单元结构体沿与所述第三方向垂直的第一方向延伸； 在所述对准区内形成第一沟槽； 沉积下层第二导电线材料层，所述下层第二导电线材料层覆盖所述半导体结构的表面并填充所述第一沟槽； 刻蚀所述下层相变存储单元结构体和所述下层第二导电线材料层，以在所述存储区形成下层相变存储单元和沿第二方向延伸的下层第二导电线，并在所述第一沟槽内形成第一对准标记凹槽。
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