西安交通大学朱子才获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于IPMC的可重构电磁超表面结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210396990.X，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于IPMC的可重构电磁超表面结构及其设计方法是由朱子才;程随军;卞长生设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于IPMC的可重构电磁超表面结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于IPMC的可重构电磁超表面结构及其设计方法，确定超表面结构的阵列单元特征尺寸与变形形式，以及阵列单元的构型与驱动控制；对不同尺寸的阵列单元进行变形‑电磁仿真，优化并确定阵列单元的形状加工参数；在IPMC结构的表面加工阵列单元，得到IPMC阵列；设计夹持和电极引线结构，将IPMC阵列固定在夹持结构中，通过电极引线结构分别为IPMC阵列的上表面和下表面施加驱动电压；根据控制区域的分布和变形量调控需求，在IPMC阵列上设计单路或多路驱动电路及调节方式，完成基于IPMC的可重构电磁超表面结构。本发明制备简单、驱动控制方便、灵活性和实用性高。
本发明授权一种基于IPMC的可重构电磁超表面结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于IPMC的可重构电磁超表面结构，其特征在于，可重构电磁超表面结构为IPMC材料，从上至下依次包括上层电极（1）、中间层（2）和下层电极（3），上层电极（1）上设置有阵列单元，阵列单元的特征尺寸为1~30mm，阵列单元的结构形式为悬臂梁结构、平面螺旋结构、双螺旋结构或抛物线结构，中间层（2）为介质薄膜，介质薄膜的介电常数为1.8~2.3，损耗角正切为0~0.015，上层电极（1）和下层电极（3）的厚度均为10~20μm，中间层（2）的厚度为20~500μm，基于IPMC的可重构电磁超表面结构在0~5V驱动电压作用下，能够发生0~90°的弯曲变形。
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