上海理工大学袁敏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海理工大学申请的专利一种纸基电化学芯片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115290711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210414203.X,技术领域涉及:G01N27/26;该发明授权一种纸基电化学芯片及其制备方法和应用是由袁敏;徐斐;钱世权设计研发完成,并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纸基电化学芯片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明提供了一种纸基电化学芯片的制备方法及其用于铅、镉、汞、砷离子的同时检测。依据本发明提供的制备方法制得的纸基电化学芯片具有原材料丰富、质量轻、体积小、成本低、易折叠、携带方便、可降解、制作简单的优点。本发明提供的铅、镉、汞、砷离子的同时检测方法,检测操作成本低、检测耗时短和检测精确度高,可用于铅、镉、汞、砷离子的现场同时检测,且该检测方法排除了纸本身的干扰。
本发明授权一种纸基电化学芯片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种纸基电化学芯片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤S1-1,绘制芯片图案,所述芯片图案包括工作电极、参比电极、对电极和检测区域; 步骤S1-2,将所述芯片图案打印到带有低粘胶带的色谱纸上; 步骤S1-3,对于所述色谱纸,在所述工作电极和所述对电极填涂碳糊油墨,在疏水区域填涂石蜡,在所述参比电极填涂AgAgCl油墨,得到预处理纸基电化学芯片; 步骤S1-4,将所述预处理纸基电化学芯片置于热压板上热压,得到热压处理纸基电化学芯片; 步骤S1-5,在所述热压处理纸基电化学芯片的所述检测区域滴加金纳米溶液,然后通过种子溶液生长法增大所述热压处理纸基电化学芯片的所述检测区域的金纳米粒子尺寸,得到金纳米纸基电化学芯片; 步骤S1-6,对所述金纳米纸基电化学芯片的所述检测区域进行功能化滴加操作,即得所述纸基电化学芯片, 其中,所述检测区域为亲水区,所述检测区域的外围区域为疏水区, 步骤S1-6中所述的功能化滴加操作的具体操作如下: 步骤S1-6-1,在所述金纳米纸基电化学芯片的所述检测区域的四角区分别滴加CdCP、PbCP、HgCP和AsCP溶液,常温反应,得到功能化金纳米纸基电化学芯片,所述CdCP、PbCP、HgCP和AsCP溶液中, 所述CdCP的核酸序列为:5’-SH-ACTAATGACAACGGACTGTGAACCCGTCGTCCTGAG-3’, 所述PbCP的核酸序列为:5’-SH-TAGTTTAGCCCAACCACACCAACC-3’, 所述HgCP的核酸序列为:5’-SH-TTCTTTCTTCCCCTTGTTTGTT-3’, 所述AsCP的核酸序列为:5′-SH-ACAGAACAACCAACGTCGCTCCGGGTACTTCTTC-3’; 步骤S1-6-2,在所述功能化金纳米纸基电化学芯片的所述检测区域的四角区滴加6-巯基己醇,常温孵育,得到巯基己醇金纳米纸基电化学芯片; 步骤S1-6-3,在所述巯基己醇金纳米纸基电化学芯片的所述检测区域的四角区分别滴加CdApt、G4、AsApt和HgApt溶液,恒温反应,所述CdApt、G4、AsApt和HgApt溶液中, 所述CdApt的核酸序列为:5’-CTCAGGACGACGGGTTCACAGTAGGTTGTC-MB-3’, 所述G4的核酸序列为:5’-GGTTGGTGTGGTTGG-MB-3’,所述AsApt的核酸序列为:5’-GTTGCAGCGAG-MB-3’ 所述HgApt的核酸序列为:5’-SH-AAGAAAGAAGGGGAACAAACAA-MB-3’。
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