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龙图腾网获悉富芯微电子有限公司申请的专利一种金属氧化物半导体场效应管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210531279.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种金属氧化物半导体场效应管是由倪侠;王全;邹有彪;张荣;徐玉豹设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属氧化物半导体场效应管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应管，涉及半导体场效应管技术领域。包括框架，所述框架的内部安装有一号P形半导体，所述一号P形半导体顶端的一侧安装有一号N形半导体，所述一号P形半导体顶端的另一侧安装有二号N形半导体，所述一号P形半导体底端的一侧安装有三号N形半导体，所述一号P形半导体底端的另一侧安装有四号N形半导体，所述三号N形半导体和四号N形半导体之间安装有N形半导体通道。本发明通过增强型金属氧化物半导体场和耗尽型金属氧化物半导体场相互作用的设置，使得该装置还具有了控制两个不能够同时工作的装置的运行，该设计保证了上述两个工作装置的互不干扰，保证了机械的正常运行。

本发明授权一种金属氧化物半导体场效应管在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应管，包括框架31，其特征在于：所述框架31的内部安装有电效应场32，所述电效应场32的内部安装有一号P形半导体5，所述一号P形半导体5顶端的一侧安装有一号N形半导体1，所述一号P形半导体5顶端的另一侧安装有二号N形半导体2，所述一号P形半导体5底端的一侧安装有三号N形半导体3，所述一号P形半导体5底端的另一侧安装有四号N形半导体4，所述三号N形半导体3和四号N形半导体4之间安装有N形半导体通道8，所述一号P形半导体5的顶端安装有增强型金属氧化物半导体场，所述一号P形半导体5的底端安装有耗尽型金属氧化物半导体场，所述一号P形半导体5的顶端固定连接有一号氧化层6，所述一号P形半导体5的底端固定连接有二号氧化层7，所述一号氧化层6的顶端安装有一号金属板9，所述二号氧化层7的底端安装有二号金属板10，所述一号金属板9和二号金属板10均电性连接有栅极G； 所述增强型金属氧化物半导体场包括一号源级G板11和一号漏级D板12，一号源级G板11的底端和一号氧化层6的顶端固定，一号漏级D板12的底端和一号氧化层6的顶端固定，所述一号源级G板11的顶端电性连接有一号源级G线15，所述一号源级G线15电性连接有一号工作场； 所述耗尽型金属氧化物半导体场包括二号源级G板13和二号漏级D板14，二号源级G板13的顶端和二号氧化层7的底端固定，二号漏级D板14的顶端和一号氧化层6的底端固定，所述二号源级G板13的顶端电性连接有二号源级G线17，所述二号漏级D板14的顶端电性连接有二号漏级D线18，所述二号源级G线17电性连接有二号工作场，所述二号漏级D线18电性连接有二号工作场； 所述一号工作场包括一号电源19、二号P形半导体20、五号N形半导体21、开关22和一号工作装置23，一号电源19、二号P形半导体20、五号N形半导体21、开关22和一号工作装置23依次电性相连，二号P形半导体20一侧和五号N形半导体21一侧固定； 所述二号工作场包括三号电源28、灯泡29和二号工作装置30、三号电源28、灯泡29和二号工作装置30依次电性相连； 所述栅极G包括二号电源24，所述二号电源24的正极电性连接有一号电线25和二号电线26，一号电线25和一号金属板9电性连接，二号电线26和二号金属板10电性连接，所述二号电源24的负极电性连接有三号电线27，三号电线27和一号源级G线。

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