铁电存储器股份有限公司J·奥克获国家专利权
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龙图腾网获悉铁电存储器股份有限公司申请的专利存储器单元布置及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210634419.7，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权存储器单元布置及其方法是由J·奥克设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元布置及其方法在说明书摘要公布了：各个方面涉及一种存储器单元布置，其包括：包括场效应晶体管结构和自发极化存储器层的存储器单元；和配置为通过写入操作引起存储器单元的写入的控制电路，写入操作包括：执行写入序列，该写入序列包括：向存储器单元供应写入信号集合以提供写入电压降，从而通过极化存储器层将存储器单元的阈值电压带入目标范围内，以及随后，向存储器单元供应后调节信号集合以提供相对于写入电压降具有相反极性的后调节电压降，从而通过部分去极化存储器层来改变阈值电压；以及检查阈值电压是否在目标范围内，并且在阈值电压不在目标范围内的情况下重复写入序列。
本发明授权存储器单元布置及其方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括： 包括场效应晶体管结构和自发极化存储器层的存储器单元；和 配置为通过写入操作引起所述存储器单元的写入的控制电路，其中所述写入操作包括： 执行写入序列，所述写入序列包括： 向所述存储器单元供应写入信号集合以提供写入电压降，从而通过极化所述自发极化存储器层将与所述存储器单元相关联的阈值电压带入目标阈值电压范围内，以及随后， 向所述存储器单元供应后调节信号集合以提供相对于所述写入电压降具有相反极性的后调节电压降，从而通过部分去极化所述自发极化存储器层来改变与所述存储器单元相关联的所述阈值电压；以及 在执行所述写入序列之后，检查与所述存储器单元相关联的所述阈值电压是否在所述目标阈值电压范围内，并且在与所述存储器单元相关联的所述阈值电压不在所述目标阈值电压范围内的情况下，重复所述写入序列。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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