武汉优炜芯科技有限公司张骏获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉优炜芯科技有限公司申请的专利具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210921870.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法是由张骏;张毅;陈景文;岳金顺设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法，该外延生长方法具体包括如下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长AlN缓冲层、第一AlN层、AlInN层和第二AlN层；在纯氢气氛围下进行退火处理，直至AlInN层中In完全脱离，并形成具有孔洞结构的AlN空隙层；在第二AlN层上继续生长第三AlN层，得到具有防开裂功能的AlN薄膜。本发明在沉积AlN膜层过程中，通过引入AlInN层并退火处理，使其形成具有孔洞结构的AlN空隙层，利用孔洞结构使后续AlN生长中热应力能够充分释放，能够很好地防止AlN膜层开裂并提升AlN膜层的生长质量。
本发明授权具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种具有防开裂功能的AlN薄膜的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，在蓝宝石衬底上依次生长AlN缓冲层、第一AlN层、AlInN层和第二AlN层； S2，在纯氢气氛围下进行退火处理，直至所述AlInN层中In完全脱离，并形成具有孔洞结构的AlN空隙层； S3，在所述第二AlN层上继续生长第三AlN层，得到具有防开裂功能的AlN薄膜； 所述S1步骤中，所述AlInN层的生长温度为700~1000℃； 所述S2步骤中的退火处理温度小于所述S1步骤中第二AlN层的生长温度，且所述S2步骤中的退火处理温度小于所述S3步骤中第三AlN层的生长温度； 所述S2步骤中退火处理的具体工艺步骤为：所述第二AlN层生长完成后，降温至1000℃~1200℃，在纯氢气氛围中进行退火，退火时间为5~60min，退火后形成具有孔洞结构的AlN空隙层；退火处理后，所述第一AlN层和第二AlN层中不存在孔洞状结构。
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