江苏捷捷微电子股份有限公司朱法扬获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利一种单向可控硅及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210963031.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种单向可控硅及其制作方法是由朱法扬;俞荣荣设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单向可控硅及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种单向可控硅及其制作方法，涉及单向可控硅技术领域。该单向可控硅包括：第一掺杂类型的第一半导体层，位于第一半导体层两侧的第二半导体层与第三半导体层；其中，第二半导体层与第三半导体层均为第二掺杂类型，位于第二半导体层远离第一半导体层一侧的阳极区，位于第三半导体层远离第一半导体层一侧的导通区与控制极区，其中，导通区为第一掺杂类型，导通区包括主导通区、辅助导通区以及阻尼区，且主导通区的结深、掺杂浓度均小于辅助导通区的结深与掺杂浓度，位于主导通区与阻尼区远离第一半导体层一侧的阴极区。本申请提供的单向可控硅及其制作方法具有拥有更高的dvdt的优点。
本发明授权一种单向可控硅及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种单向可控硅，其特征在于，所述单向可控硅包括： 第一掺杂类型的第一半导体层； 位于所述第一半导体层两侧的第二半导体层与第三半导体层；其中，所述第二半导体层与所述第三半导体层均为第二掺杂类型； 位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的阳极区； 位于所述第三半导体层远离所述第一半导体层一侧的导通区与控制极区，其中，所述导通区为第一掺杂类型，所述导通区包括主导通区、辅助导通区以及阻尼区，所述阻尼区位于所述主导通区与辅助导通区之间，且所述主导通区的结深、掺杂浓度均小于所述辅助导通区的结深与掺杂浓度； 位于所述主导通区与所述阻尼区远离所述第一半导体层一侧的阴极区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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