上海积塔半导体有限公司刘倩倩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种晶圆测量结构及电容测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115586376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211236179.1，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种晶圆测量结构及电容测量方法是由刘倩倩;宋永梁;高玉珠;季鸣设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆测量结构及电容测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆测量结构及电容测量方法至少包括：设置在晶圆上表面的N个间隔分布的焊盘测量单元，各焊盘测量单元测量对应的1个待测电容，各焊盘测量单元均包括3个沿横向或沿纵向依次相邻的焊盘，待测电容连接于第一焊盘与第三焊盘之间；当焊盘为等间距设置时，相邻焊盘之间的寄生电容不能忽略，在相邻两个焊盘之间均设置1个电容单元；当焊盘不是等间距设置时，间距最大的两个焊盘之间的寄生电容可以忽略，在间距最小的两个焊盘之间设置1个电容单元通过测试设备与焊盘测量单元连接，对待测电容进行测量。通过在相邻两个焊盘之间设置电容单元，实现对晶圆内部通常小于皮法级别的待测电容的精确测量，结构简单，操作简便，适用范围广。
本发明授权一种晶圆测量结构及电容测量方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆测量结构，用于对晶圆内部的待测电容进行测量，其特征在于，所述晶圆测量结构至少包括： 设置在晶圆上表面的N个间隔分布的焊盘测量单元，各所述焊盘测量单元测量对应的1个待测电容，各所述焊盘测量单元均包括3个沿横向或沿纵向依次相邻的焊盘，其中，N为大于等于1的自然数，所述待测电容连接于第一焊盘与第三焊盘之间； 当第M焊盘测量单元中3个焊盘为等间距设置时，在相邻两个焊盘之间均设置1个电容单元，其中，各电容单元连接于对应的相邻两个焊盘之间，其中，M为大于等于1且小于等于N的自然数； 当第M焊盘测量单元中3个焊盘不是等间距设置时，在间距最小的两个焊盘之间设置1个电容单元，其中，电容单元连接于间距最小的两个焊盘之间； 其中，通过测试设备与所述焊盘测量单元连接，对所述待测电容进行测量。
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