有研工程技术研究院有限公司;北京工业大学杜淼获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉有研工程技术研究院有限公司;北京工业大学申请的专利一种中子发射管用复合储氘涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116065122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211273586.X，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种中子发射管用复合储氘涂层及其制备方法是由杜淼;王树茂;李帅;米菁;郝雷;高殿超;范爱玲;许科设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中子发射管用复合储氘涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种中子发射管用复合储氘涂层材料及其制备方法，通过采用气相沉积的方法，在基材表面上沉积金属过渡层来进一步增强涂层与基底间结合强度。在金属过渡层表面沉积制备金属氘化物薄膜，通过控制溅射过程中通入氘气的百分比来调控沉积涂层中的储氘量，在满足较高储氘密度与良好热稳定性的前提下，提高涂层抗氢脆和储氘性能，最后在储氘薄膜表面沉积保护层，来提升储氘复合薄膜的抗氧化和抗碳化性能。
本发明授权一种中子发射管用复合储氘涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种中子发射管用复合储氘涂层材料，其特征在于：包括金属过渡层、MDx储氘层和保护层；所述金属过渡层、MDx储氘层和保护层的总厚度不超过30μm；所述的金属过渡层厚度不超过5.0μm； 所述MDx中的M为Mg、Ti、Ni、La、Co、Zr、Hf、Al中的一种或者多种合金；所述MDx储氘层中的x值指代氘与钛的原子比，为0.5～2.5。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人有研工程技术研究院有限公司;北京工业大学，其通讯地址为：101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号