浙江工业大学胡晓君获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116590695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211550172.7，技术领域涉及：C23C16/56；该发明授权高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法是由胡晓君;郑玉浩;唐彬杰;陈成克;蒋梅燕;李晓;鲁少华设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法。该方法将化学气相沉积过程中进入薄膜的钽原子掺杂于纳米级界面处。该掺杂方法不同于传统的晶格替代掺杂，很好地解决了金刚石中n型掺杂的难题，也为解决其他宽带隙材料的掺杂难题提供了新途径。
本发明授权高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电导率高迁移率n型金刚石薄膜，其特征在于所述高电导率高迁移率n型金刚石薄膜按如下方法制备： 1旋涂液配制：将粒径为3nm–1μm的金刚石粉末、胶粘剂和活性剂均匀分散于有机溶剂中，得到旋涂液；所述金刚石粉末与活性剂的质量比为100:5-10；所述有机溶剂的体积以所述金刚石粉末的质量计为0.3-0.5mLmg；所述胶粘剂与所述有机溶剂的体积比为1：20-40；所述活性剂为溴化十六烷基三甲铵、聚二烯丙基二甲基氯化铵、环氧丙醇、十八烷基二甲基苄基氯化铵中的一种或两种以上的混合物； 2旋涂种晶：在单晶硅片表面旋涂步骤1所述的旋涂液，所述旋涂包括15-20个循环，每个循环为1000rpm旋涂10s后3000rpm旋涂30s；得到表面涂布有一层致密的种晶层的硅片； 3热处理：将步骤2所述的表面涂布有一层致密的种晶层的硅片置于管式炉中，在氩气保护气氛中500-800℃热处理8-20min，得到热处理后的硅片； 4将步骤3所述的热处理后的硅片作为衬底，以丙酮作为碳源，以钽丝作为热源和掺杂源，进行热丝化学气相沉积；得到密堆积纳米金刚石薄膜； 5将步骤4所述的密堆积纳米金刚石薄膜在900-1000℃的温度下退火30min，即得到所述高电导率高迁移率n型金刚石薄膜。
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