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龙图腾网获悉长沙新立硅材料科技有限公司申请的专利原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211555439.1，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料及制备方法是由刘立新;钟勇设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料及制备方法，原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料由多孔MXene纳米片及掺杂在所述多孔MXene纳米片中的杂原子组成。制备原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料，包括：制备杂原子掺杂的多孔MXene材料，将二茂铁和杂原子掺杂的多孔MXene材料置于研钵中，加入有机分散剂，研磨至充分混合，然后干燥得到混合料；将混合料置于刚玉坩埚中，顶部均匀铺放引燃剂，将坩埚放入微波设备中，经微波辐射后搜集产物，即得到原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料。

本发明授权原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料的制备方法，其特征在于，杂原子掺杂的多孔MXene材料由多孔MXene纳米片及掺杂在所述多孔MXene纳米片中的杂原子组成，杂原子掺杂的多孔MXene材料的表面原位生长碳纳米管；所述杂原子为N、B、P，杂原子：多孔MXene纳米片摩尔数比例为1：10～1：1，其中B:N:P的摩尔数比例为1：2：3； 该制备方法包括以下步骤： S1：制备杂原子掺杂的多孔MXene材料，包括如下步骤： S11、多孔MXene纳米片溶液的制备：取MXene纳米片搅拌分散到双氧水溶液中，搅拌蚀刻，然后将反应后的溶液离心洗涤，超声分散得到多孔MXene纳米片溶液；所述MXene纳米片与双氧水溶液的质量比为0.1～1，双氧水溶液的质量浓度为0.01％～0.1％；所述蚀刻的温度为20～80℃，蚀刻的时间为10～100min； S12、杂原子分散液的制备：将氮源、硼源和磷源加入至分散剂中，充分搅拌使其分散均匀，得到杂原子分散液； S13、前驱体材料制备：将S11制得的多孔MXene纳米片溶液加入S12制得的杂原子分散液，充分搅拌至混合均匀后，将混合液进行离心后干燥，得到前驱体材料； S14、杂原子掺杂的多孔MXene材料制备：将前驱体材料放入刚玉坩埚后，转移至管式炉中，在保护气氛中，以一定的升温速度进行加热，保温，自然冷却至室温，收集刚玉坩埚中的固体，即得到杂原子掺杂的多孔MXene材料； S2：制备原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料，包括如下步骤： S21、取二茂铁和S1制备的杂原子掺杂的多孔MXene材料置于研钵中，加入有机分散剂，研磨至充分混合，然后干燥得到混合料； S22、将S21制备的混合料置于刚玉坩埚中，顶部均匀铺放引燃剂，将坩埚放入微波设备中，经微波辐射后搜集产物，即得到原位生长碳纳米管复合杂原子掺杂的多孔MXene材料。

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