北京航空航天大学万育航获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种可高密度集成的锗硅混合光探测器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211568558.0，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权一种可高密度集成的锗硅混合光探测器件是由万育航;郑铮;马歆璇设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可高密度集成的锗硅混合光探测器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可片上高密度集成的锗硅混合光探测器件，该器件兼具光信号传输与光功率探测功能。该器件包括硅传输波导、锗吸收层：其中硅传输波导存在稳定的光场强弱分布；锗吸收层位于所述光场弱分布区域上方，通过吸收所述光场弱分布区域的光信号，将其转换为电信号，以实现对波导中传输光功率的表征；其余光信号仍在硅波导中传输。本发明实现的锗硅混合光探测器件具有尺寸小、传输损耗小、可探测功率低、反射率低、与标准CMOS工艺兼容等优势，适合在大规模光互联系统中高密度集成，以实现对多处功率的实时监控，在光通信、微波光子等领域具有广泛的应用前景。
本发明授权一种可高密度集成的锗硅混合光探测器件在权利要求书中公布了：1.一种可高密度集成的锗硅混合光探测器件，其特征在于：包括硅传输波导以及位于其上的锗吸收层；其中， 所述的硅传输波导包括在沿光信号传播方向上依次布置的第一波导区、第二波导区、第三波导区、第四波导区和第五波导区； 所述第一波导区中波导宽度沿传播方向变宽或不变； 所述第二波导区中各处波导宽度均大于或等于第一波导区和第五波导区，其中激发多个模式并发生多模干涉； 所述第三波导区为脊型波导，其波导宽度要大于其余四个波导区； 所述第三波导区在垂直方向包括平板波导层和脊波导层，其中脊波导层高度大于平板波导层；所述的第三波导区脊波导层包括两个或两个以上间隔设置的脊波导区，各脊波导区边缘间隔大于等于1um，保证脊波导之间不发生能量交换； 光信号传输时，所述第三波导区中存在稳定的空间光场强弱分布； 所述第四波导区中各处波导宽度均大于等于第一波导区和第五波导区； 所述第五波导区中波导宽度沿传播方向变窄或不变； 所述的锗吸收层位于所述第三波导区中光场弱分布区域上方；所述的锗吸收层长度小于等于第三波导区长度。
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