买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763640B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211575198.7，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件是由金浩;金井升;张临安;张昕宇设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件，包括：对制绒后的基底的第一表面进行硼扩散，形成硼扩散层和厚度D1满足90nm≤D1≤190nm的硼硅玻璃层；在所述基底的第二表面沉积非晶硅或多晶硅，形成有绕镀层；在所述基底的第二表面进行磷扩散，形成掺杂导电层，所述绕镀层远离所述基底的一侧形成有厚度小于所述硼硅玻璃层厚度的第一磷硅玻璃层，以及，在所述硼硅玻璃层中形成有厚度小于或等于所述硼硅玻璃层厚度的硼磷硅玻璃层；使用酸性溶液去除所述第一磷硅玻璃层，所述酸性溶液包括第一溶液，或，第一溶液和第一添加剂；使用碱性溶液去除所述绕镀层。本申请有利于降低基底发生过刻现象的可能，有利于提高太阳能电池的生产质量。

本发明授权一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 对制绒后的基底（1）的第一表面（11）进行硼扩散，在所述基底（1）的第一表面（11）形成有硼扩散层（8）和厚度D1满足90nm≤D1≤190nm的硼硅玻璃层（2）； 在所述基底（1）的第二表面（12）沉积非晶硅或多晶硅，所述硼硅玻璃层（2）远离所述基底（1）的一侧形成有绕镀层（3）； 在所述基底（1）的第二表面（12）进行磷扩散，所述第二表面（12）形成有掺杂导电层（6），所述绕镀层（3）远离所述基底（1）的一侧形成有厚度小于所述硼硅玻璃层（2）厚度的第一磷硅玻璃层（4），以及，在所述硼硅玻璃层（2）中形成有厚度小于或等于所述硼硅玻璃层（2）厚度的硼磷硅玻璃层（5）； 使用酸性溶液去除所述第一磷硅玻璃层（4），所述酸性溶液包括第一溶液，或，第一溶液和第一添加剂，其中，所述第一添加剂用于控制所述酸性溶液与所述第一磷硅玻璃层（4）、所述硼磷硅玻璃层（5）的反应速率； 使用碱性溶液去除所述绕镀层（3）； 使用酸性溶液去除所述第一磷硅玻璃层（4）的步骤包括： 使用所述酸性溶液去除部分所述硼磷硅玻璃层（5），去除后所述硼磷硅玻璃层（5）的厚度D4满足1nm≤D4≤50nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司，其通讯地址为：334100 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。