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龙图腾网获悉重庆航天工业有限公司申请的专利一种实现存储器连续写入的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115729475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211585246.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种实现存储器连续写入的方法是由潘通林;黄军;汤光银;张大国;张载春;米小强;敬果;樊琎;熊梦南设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种实现存储器连续写入的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种实现存储器连续写入的方法，具体包括具体包括以下步骤：S1：获取存储器的物理参数和将要写入数据的逻辑地址；S2：将S1中要写入数据的逻辑地址变换映射为储存器中的物理地址；S3:按照S2中逻辑地址所对应的物理地址顺序对存储器写入数据。本发明在系统中数据的生成周期、存储器中存储单元数据缓存容量、存储器中存储单元的数据固化时间和存储器中存储单元数量满足预设条件下，通过变换存储器中存储单元的地址映射，达到改变存储器中存储单元的写入顺序，从而实现存储器的连续写入，提高了数据存储效率，该方法具有实现简单和运行可靠的特点。

本发明授权一种实现存储器连续写入的方法在权利要求书中公布了：1.一种实现存储器连续写入的方法，其特征在于，具体包括以下步骤： S1：获取存储器的物理参数和将要写入数据的逻辑地址； 所述S1中，存储器包括N个存储单元，每个存储单元中的数据缓存容量为R；每个存储单元中分为M个存储块，每个存储块容量为C；每个存储块中包括至少一个存储介质，存储介质用于存储外部写入的数据； 物理参数包括外部数据的生成周期Td、存储单元的数据缓存容量R、存储单元的数据固化时间Tw、存储单元数量N；且物理参数需要满足公式1： Td×R×N-1≥Tw1； S2：将S1中要写入数据的逻辑地址变换映射为存储器中的物理地址； S3:按照S2中逻辑地址所对应的物理地址顺序对存储器写入数据； 所述S3中，对存储器写入数据的时序为： 第一次写入时序：对存储器的第一个存储单元中的第一个存储块进行写入时，其他存储单元处于空闲状态；对第二个存储单元中的第一个存储块进行写入时，第一个存储单元处于内部操作、外部禁止状态，其他存储单元处于空闲状态；依次类推，对第N个存储单元的第一个存储块进行写入时，第一个存储单元中的第一个存储块已经完成固化，即第一个存储单元中的第二个存储块处于空闲状态，其他存储单元的第一存储块仍处于内部操作、外部禁止状态； 再次对第一个存储单元中的第二个存储块进行写入，重复第一次写入时序的过程，直到所有存储单元中的存储介质均写入完成为止。

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